Pamäťové čipy budúcnosti

MRAM spája výhody dnešných technológií

Integrovaním prvkov magnetickej pamäte do vysokovýkonnej štruktúry integrovaného obvodu sa podarilo spoločnostiam IBM a Infineon Technologies vyvinúť v súčasnosti najvyspelejšiu pamäťovú technológiu magnetickej pamäte s náhodným prístupom MRAM (Magnetic Random Access Memory). MRAM je pamäťová technológia, ktorá používa na ukladanie dátových bitov magnetické impulzy namiesto elektrických. Jej uplatnenie by viedlo k podstatnému zlepšeniu prenosných výpočtových produktov, ktoré by získali väčšiu pamäťovú kapacitu s rýchlejším prístupom a menšou spotrebou než umožňujú súčasné pamäte. MRAM navyše spája najväčšie výhody v súčasnosti používaných pamäťových technológií: veľkú kapacitu a nízku cenu dynamickej pamäte RAM (DRAM), rýchlosť statickej RAM (SRAM) a stálosť zaznamenaných údajov podobne ako pri pamäti flash. Pretože MRAM udržiava informácie aj po odpojení napájania, osobné počítače a iné produkty by sa s jej pomocou mohli zapínať okamžite, bez nábehu alebo bootovania systému.

Energicky nezávislá pamäť MRAM má zásadný vplyv najmä na mobilné výpočtové zariadenia. Pamäťové technológie DRAM a SRAM udržujú uložené údaje len pokiaľ je pripojené elektrické napájanie. Po jeho odpojení sa všetky dáta stratia. Prenosný počítač napríklad pracuje s kópiou softvéru uloženou v operačnej pamäti. Po jeho zapnutí sa musí pracovná kópia softvéru prekopírovať z pevného disku do operačnej pamäte, kde k nej má používateľ rýchly prístup. Vždy, keď sa počítač vypne a zapne, prebieha celý proces znova. Ak by sa použila pamäť MRAM, prenosné počítače by fungovali ako iné elektronické zariadenia, napríklad televízny alebo rozhlasový prijímač, ktoré stačí zapnúť a prístroj sa preberie k životu takmer okamžite. Na počítači navyše všetko zostane v rovnakom stave, ako pri

Na sympóziu VLSI, ktoré sa konalo začiatkom júna v japonskom Kjóte prezentovali spoločnosti IBM a Infineon svoju rýchlu pamäťovú jednotku MRAM s kapacitou 128 kB. Vyrobená je najmenšou doteraz použitou technológiou s presnosťou 0,18 mikrónov. Vďaka nej sa spoločnostiam podarilo vtesnať najmenšiu pamäťovú bunku MRAM do priestoru 1,4 štvorcových mikrometrov.

Technológia MRAM môže začať nahrádzať niektoré z pamäťových technológií súčasnosti už v roku 2005.

(jz)